壓敏電阻器_大功率壓敏電阻器_過壓保護|防浪涌：

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ZnO是六方晶系纖鋅礦結構，其化學鍵處于離子鍵與共價鍵的中間鍵型狀態，氧離子以六方密堆，鋅離子占據一半的四面體空隙，鋅和氧都是四面體配位。ZnO是相對開放的晶體結構，開放的結構對缺陷的性質及擴散機制有影響，所有的八面體間隙和一半的四面體間隙是空的，正負離子的配位數均為4，所以容易引入外部雜質，ZnO熔點為2248，密度為5.6g/cm3，純凈的ZnO晶體，其能帶由02-的滿的2p電子能級和Zn2+的空的4s能級組成，禁帶寬度為3.2～3.4eV，因此，室溫下，滿足化學計量比的純凈ZnO應是絕緣體，而ZnO中常見的缺陷是金屬填隙原子，所以它是金屬過剩(Zn1+xO)非化學計量比n型半導體。

Eda等認為，在本征缺陷中，填隙鋅原子擴散快，對壓敏電阻穩定性有很大影響。

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氧化鋅壓敏電阻在交流電壓作用下的老化：

當施加交流電壓一定時間后，氧化鋅壓敏電阻的U-I特性曲線發生對稱變化，除了特性曲線的變化是對稱的特點外，改變的趨勢與施加直流電壓的趨勢相近。試驗時所施加的交流電壓梯度為65V/mm，溫度為70℃。試驗還表明，不論是直流還是交流作用電壓，老化試驗后壓敏電阻U-I 特性在預擊穿區（即低電場區域）的變化程度要比擊穿區即（中電場區域）大得多。

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壓敏電阻器在電路的過電壓防護中，如果正常工作在預擊穿區和擊穿區，理論上是不會損壞的。但由于壓敏電阻器要長期承受電源電壓，電路中暫態過電壓、超能量過電壓隨機的不斷沖擊及吸收電路儲能元件釋放能量，因此，壓敏電阻器也是會損壞的它的壽命根據所在電路經受的過電壓幅值和能量的不同而不同。

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